examen
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Soutenue le 1 septembre 2005 devant la commission d'examen : ..... application
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CeA fagSSlS. |u|T~7JUIN 19311CeA fagSSlS. |u|T~7JUIN 19311
Soutenue le 21 décembre 1988, devant la Commission d'examen. Président : M.
..... Caractérisation de transistors bipolaires. 3. ...... R$ +RCn-(l -ap).IH .



Total Dose and Dose Rate Models for Bipolar Transistors in Circuit ...Total Dose and Dose Rate Models for Bipolar Transistors in Circuit ...
APPENDIX A Verilog-A Model for 2N2222 with TD Effects . .... BJT bipolar
junction transistor cgs centimeter-gram-second. ELDRS enhanced low dose rate
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bipolar junction transistor (BJT) operating in the active region is suggested as
one application of ..... level for MRF901 BJT microwave amplifier with load
reflection ..... (T ? a)(Td ? b) = r(T, ? a)(Td ? b) (2.6a) ..... l ? s P.- saal -(sasa- sasa
)TNT. ?.