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structure électronique : EELS et XAS . . . . . . . . . . . . . . . ..... [24] K. Asokan, H. M.
Tsai, C. W. Bao, J. W. Chiou, W. F. Pong, G. Sonia, and ..... Ti-Al-N MAX phase, a
candidate for ohmic contacts to n-GaN. Acta ..... sur les systèmes Ti-(Al, Si, Sn, Ge
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Synthèse par voie sol-gel et caractérisation de matériaux ... - HAL-Inria5 juin 2014 ... Professeur à l'INSA de Rennes / Directeur de thèse .... pour le potentiel ultrasoft,
la charge intégrée n'est pas conservée. ... hétérojonctions InAs/InP et AlN/GaN
pour deux états de contrainte ... `a la commission d'examen. ... de ces
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